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偽靜態(tài)存儲器（Parrallel pSRAM）的設(shè)計(jì)是用于直接替代靜態(tài)隨機(jī)存儲器（SRAM），即使內(nèi)部存儲器的操作并非靜態(tài)。商業(yè)化的兩種偽靜態(tài)存儲器分別是偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器（PSRAM）及鐵電隨機(jī)存儲器（F—RAM）。PSRAM針對慢速SRAM應(yīng)用；當(dāng)純粹計(jì)算每個(gè)位的成本時(shí)具有競爭優(yōu)勢。F-RAM針對電池后備SRAM（即BBSRAM）應(yīng)用，在系統(tǒng)成本及產(chǎn)品供應(yīng)方面具有競爭力。F-RAM還有一個(gè)目標(biāo)用途是用于非易失性數(shù)據(jù)獲得，在這種應(yīng)用中可以提供卓越的性能。

ISSI是一家專門設(shè)計(jì)，開發(fā)，銷售高性能PSRAM存儲芯片半導(dǎo)體產(chǎn)品的，PSRAM產(chǎn)品有8Mb/16Mb/32Mb/64Mb四種容量，封裝為BGA，可用于Internet存儲器件、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、遠(yuǎn)程通訊和移動通訊設(shè)備、計(jì)算機(jī)外設(shè)等?？捎肑SC,VTI等品牌進(jìn)行PIN to PIN替換兼容。該品牌非我司代理產(chǎn)品線

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