Everspin MRAM是一種具有革命性的存儲器，其原理是利用電子自旋的磁性結(jié)構(gòu)，來提供不會產(chǎn)生損耗的非揮發(fā)特性。Everspin MRAM可在集成了硅電路的磁性材料中存儲信息，以在單一、可無限使用的組件中提供SRAM的速度以及閃存的非揮發(fā)特性。Everspin是從飛思卡爾半導(dǎo)體公司分離出來的一家獨(dú)立公司。2006年，Everspin推出業(yè)界第一款商業(yè)化MRAM產(chǎn)品。今日，Everspin MRAM已廣泛用在數(shù)據(jù)存儲、工業(yè)自動化、游戲、能源管理、通訊、運(yùn)輸、和航空電子領(lǐng)域。 | Density | Part Number | VDD | VDDQ | Speed | Temp Rating | Pack/Ship | Package | PDF下載 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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| 1Mb | MR10Q010VSCR | 3.3v | 1.8 | 40MHz/104MHz | Extended | Tape & Reel | 16-SOIC | 暫無 |
