新的串行接口DDR OPI RAM能有效改善傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體的問題，并具有以下優(yōu)點(diǎn)：
1. 更大的帶寬：DDR OPI RAM以八路串行接口之規(guī)格，在200MHz Double-data-rate的速率，其數(shù)據(jù)帶寬大于3Gbps。
2. 更高的容量：DDR OPI RAM容量為64M，比其他現(xiàn)行市面上的串行接口隨機(jī)存取記憶體的記憶容量大很多。
3. 更低的成本：DDR OPI RAM採用先進(jìn)的DRAM技術(shù)，有效地壓縮芯片體積，故DDR OPI RAM生產(chǎn)成本接近DRAM成本。
4. 更小的尺寸：DDR OPI RAM的低引腳數(shù)封裝與傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)相較之下，更具尺寸小、成本低等優(yōu)勢(shì)。
5. 應(yīng)用介面簡單：因?yàn)樾滦偷脑O(shè)計(jì)技術(shù)，DDR OPI RAM不需要更新週期(Refresh Cycle)，與DRAM需要更新不同，故DDR OPI RAM介面較傳統(tǒng)隨機(jī)存取記憶體(RAM)更為簡單。
以上優(yōu)勢(shì)使DDR OPI RAM成為嵌入式電腦系統(tǒng)的最佳記憶體選擇；也因DDR OPI RAM小型化、低功耗及低成本等特點(diǎn)，使嵌入式電腦系統(tǒng)更能符合物聯(lián)網(wǎng)、穿戴式裝置的應(yīng)用需求。
| Density |
Part Number |
Power Supply |
Data rate(Mbps) |
Serial I/O |
Isb |
Temprature |
Package |
PDF下載 |
| 64M |
LY68S6408 |
1.8V |
400 |
8 |
200uA |
-40~85°C |
20 QFN |
暫無 |
| 64M |
LY68L6408 |
3.3V |
266 |
8 |
200uA |
-40~85°C |
20 QFN |
暫無 |
| 64M |
LY68L6400 |
3.3V |
100 |
1 or 4 |
200uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暫無 |
| 64M |
LY68S6400 |
1.8V |
143 |
1 or 4 |
200uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暫無 |
| 32M |
LY68S3200 |
1.8V |
100 |
1 or 4 |
150uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暫無 |
| 16M |
LY68L1600 |
3.3V |
100 |
1 or 4 |
20uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暫無 |
| 16M |
LY68S1600 |
1.8V |
143 |
1 or 4 |
20uA |
-40~85°C |
SOP8 or Contact Us |
暫無 |
