netsol基于在內(nèi)存相關(guān)領(lǐng)域的豐富開發(fā)經(jīng)驗(yàn)以及低成本、超小型和低功耗內(nèi)存解決方案設(shè)計(jì)的專業(yè)知識(shí)、為工業(yè)自動(dòng)化、網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、醫(yī)療、游戲、企業(yè)數(shù)據(jù)中心和物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等廣泛領(lǐng)域的各種應(yīng)用程序，提供最優(yōu)化的定制內(nèi)存解決方案。在下一代存儲(chǔ)器半導(dǎo)體領(lǐng)域，尤其是STT-MRAM領(lǐng)域，處于翹楚。
 
    數(shù)據(jù)記錄是如下持續(xù)、反復(fù)地將重要數(shù)據(jù)保存于設(shè)備的過(guò)程。
    –系統(tǒng)內(nèi)外部發(fā)生的事件
    –使用歷史
    –環(huán)境參數(shù)
    –機(jī)器狀態(tài)
    –用于分析目的的其他數(shù)據(jù)
 
    因需要持續(xù)、反復(fù)地保存數(shù)據(jù)，內(nèi)存需要快速的寫入速度與高耐久性。英尚微提供的非易失性存儲(chǔ)芯片NETSOL MRAM的主要優(yōu)勢(shì)包括:與SRAM不同，無(wú)需電壓控制器、電池及電池插座；與nvSRAM不同，無(wú)需電容器；寫入速度快；近乎無(wú)限的耐用性（100兆次的寫入次數(shù)）；斷電即時(shí)數(shù)據(jù)備份。

本文關(guān)鍵詞：Netsol MRAM,MRAM

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