由于存儲(chǔ)芯片價(jià)格連連下跌，2023年幾大存儲(chǔ)原廠出現(xiàn)集體虧損，虧損預(yù)估達(dá)破紀(jì)錄的50億美元。報(bào)告顯示，2023年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)規(guī)模下降37%，成為半導(dǎo)體市場(chǎng)中下降最大的細(xì)分領(lǐng)域。
 
    在存儲(chǔ)市場(chǎng)供過(guò)于求，上游出現(xiàn)庫(kù)存積壓時(shí)，存儲(chǔ)原廠可通過(guò)降價(jià)、減產(chǎn)等手段來(lái)調(diào)控存庫(kù)存水位。減產(chǎn)和降價(jià)是一套組合拳，每當(dāng)銷(xiāo)售價(jià)格接近生產(chǎn)成本時(shí)，原廠會(huì)加大減產(chǎn)力度，直至帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲。
 
    2022年Q4起，鎧俠、美光科技、SK海力士、西部數(shù)據(jù)等存儲(chǔ)大廠陸續(xù)啟動(dòng)減產(chǎn)、調(diào)整供給的舉措。緊接著，2023年上半年三星也加入了減產(chǎn)的行列，到去年9月，其N(xiāo)AND Flash的產(chǎn)量削減至總產(chǎn)能的50%，這主要集中在128層堆疊以下產(chǎn)品。
 
    在存儲(chǔ)原廠共同的努力下，NAND Flash(閃存)和DRAM(內(nèi)存)的合約價(jià)分別于去年Q3和Q4止跌。到今年Q1全線存儲(chǔ)產(chǎn)品已經(jīng)復(fù)蘇，DRAM合約價(jià)格上漲20%，NAND漲幅達(dá)23%-28%。預(yù)計(jì)DRAM在今年Q2會(huì)小幅上漲3%-8%，NAND上漲13%-18%，但在5月上旬又修正了Q2的數(shù)據(jù)，DRAM預(yù)計(jì)上漲13%-18%，NAND預(yù)計(jì)上漲15%-20%。
 
    今年4月3日的“花蓮地震”是一個(gè)轉(zhuǎn)折點(diǎn)。震前，DRAM和NAND上漲動(dòng)力稍顯不足，其現(xiàn)貨價(jià)格和交易量均已持續(xù)走低。但震后，PC廠商開(kāi)始接受DRAM、NAND合約價(jià)的大漲價(jià)，一直到今年4月底，新一輪合約價(jià)談判陸續(xù)完成，其價(jià)格漲幅超過(guò)預(yù)期。


本文關(guān)鍵詞：存儲(chǔ)芯片

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