傳統(tǒng)的存儲(chǔ)解決方案往往依賴(lài)超級(jí)電容器或電池來(lái)實(shí)現(xiàn)掉電保護(hù)，這不僅增加了系統(tǒng)復(fù)雜性和成本，還可能引入可靠性隱患。Everspin的STT-MRAM設(shè)備徹底改變了這一局面。通過(guò)利用自旋轉(zhuǎn)移扭矩技術(shù)，MRAM存儲(chǔ)芯片能夠在斷電瞬間自動(dòng)保存數(shù)據(jù)，無(wú)需任何外部輔助電源。

MRAM存儲(chǔ)芯片在設(shè)計(jì)上采用了類(lèi)似JEDEC的DDRx接口，但針對(duì)自旋轉(zhuǎn)移扭矩技術(shù)進(jìn)行了深度優(yōu)化。其高帶寬能力（每引腳傳輸速率高達(dá)1333 MT/s）結(jié)合真正的字節(jié)尋址能力和極低延遲，使得MRAM存儲(chǔ)芯片在高需求內(nèi)存工作負(fù)載下依然表現(xiàn)出色。
 

作為Everspin最新推出的高容量STT-MRAM設(shè)備，EMD4E001G面向需要更高容量、更低延遲和更強(qiáng)持久性的企業(yè)和計(jì)算應(yīng)用。這款1Gb容量的MRAM存儲(chǔ)芯片，通過(guò)優(yōu)化I/O流管理，顯著提升了延遲確定性，使得存儲(chǔ)OEM廠商能夠大幅改善其產(chǎn)品的服務(wù)質(zhì)量（QoS）。無(wú)論是在固態(tài)硬盤(pán)（SSD）中作為持久數(shù)據(jù)緩沖區(qū)，還是在存儲(chǔ)加速器、計(jì)算存儲(chǔ)等場(chǎng)景中，EMD4E001G都能發(fā)揮其獨(dú)特優(yōu)勢(shì)，幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高效的數(shù)據(jù)處理。
 

MRAM存儲(chǔ)芯片EMD4E001G采用ST-DDR4接口，支持667MHz時(shí)鐘頻率，每引腳傳輸速率達(dá)1333 MT/s，兼容JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的BGA封裝，使其能夠輕松集成到現(xiàn)有的存儲(chǔ)、計(jì)算和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用中。具體規(guī)格方面，該設(shè)備提供128Mb x8和64Mb x16兩種組織方式，頁(yè)面大小分別為1024位（x8）和2048位（x16），工作溫度范圍為0℃至85℃，滿足絕大多數(shù)企業(yè)級(jí)環(huán)境需求。

 

作為Everspin中國(guó)區(qū)代理，英尚微致力于為客戶提供最先進(jìn)的MRAM存儲(chǔ)芯片解決方案，助力企業(yè)應(yīng)對(duì)數(shù)據(jù)持久性和系統(tǒng)可靠性的挑戰(zhàn)。如果您有需要，歡迎隨時(shí)來(lái)電聯(lián)系。
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM

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