高密度spi psram內(nèi)存擴(kuò)展方案
2026-03-26 10:18:02
PSRAM全稱(chēng)為Pseudo Static Random Access Memory，即偽靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。它采用DRAM的1T1C（一個(gè)晶體管加一個(gè)電容）工藝架構(gòu)，卻實(shí)現(xiàn)了類(lèi)似SRAM的接口易用性。與傳統(tǒng)SRAM的6T架構(gòu)相比，spi psram在同等芯片面積下能夠提供更高的存儲(chǔ)密度，單位成本也更具競(jìng)爭(zhēng)力。
PSRAM和SRAM、DRAM的區(qū)別
①SRAM：速度極快、延遲低，但集成度有限、單位成本偏高
②DRAM：密度高、成本低，但需要外部控制器定期刷新以維持?jǐn)?shù)據(jù)
③PSRAM：兼具SRAM的接口便捷性與DRAM的高密度優(yōu)勢(shì)
高密度spi psram內(nèi)存擴(kuò)展方案介紹
英尚代理的VTI164LA16LM是一種高密度、低功耗的spi psram內(nèi)存擴(kuò)展解決方案，它是一款典型的偽靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，spi psram內(nèi)部架構(gòu)雖類(lèi)似于SDRAM，但對(duì)外接口卻極為簡(jiǎn)化，這個(gè)spi psram型號(hào)通過(guò)將刷新電路集成于芯片內(nèi)部，實(shí)現(xiàn)了自刷新（Self-Refresh）功能，無(wú)需依賴(lài)外部控制器即可自主維持?jǐn)?shù)據(jù)完整性。
spi psram內(nèi)存芯片VTI164LA16LM主要規(guī)格
①spi psram容量：64Mb（組織方式為4M×16）
②工作電壓：1.7V~1.95V
③訪(fǎng)問(wèn)速度：支持60ns/70ns兩種速度等級(jí)
④spi psram封裝形式：48BGA
本文關(guān)鍵詞：spi psram
上一篇文章：Netsol代理串口mram S3H3208R1M
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