在嵌入式系統(tǒng)與移動設(shè)備不斷追求更長續(xù)航的今天，低功耗DDR SDRAM已成為設(shè)計選型中的關(guān)鍵一環(huán)。相比傳統(tǒng)SDRAM，DDR SDRAM（雙倍數(shù)據(jù)速率SDRAM），JSC低功耗DDR SDRAM存儲芯片能在時鐘信號的上升沿和下降沿各傳輸一次數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)傳輸速率翻倍，而能耗幾乎沒有增加。這項(xiàng)技術(shù)在2000年前后迅速改變了內(nèi)存市場格局，如今依然是中低功耗存儲方案的主力。

　　英尚微電子作為專業(yè)的存儲芯片分銷商，現(xiàn)貨供應(yīng)來自JSC（濟(jì)州半導(dǎo)體）的多款低功耗DDR SDRAM產(chǎn)品。以型號EMD56164PBH-601為例，這是一顆專為工業(yè)級應(yīng)用設(shè)計的存儲芯片，關(guān)鍵參數(shù)如下：

 

　?、俅鎯θ萘浚?56Mbit，位寬x16，4個Bank并行操作

 

　?、诠ぷ麟妷海?.8V，典型低功耗DDR SDRAM電壓范圍

 

　?、垲l率：166MHz，兼顧性能與功耗平衡

 

　?、芊庋b：60引腳FPBGA，尺寸僅8×9mm，適合緊湊型PCB布局

 

　?、轀囟鹊燃墸汗I(yè)級，適應(yīng)寬溫工作環(huán)境
 

　　JSC濟(jì)州半導(dǎo)體長期深耕存儲芯片領(lǐng)域，目前已成長為全球半導(dǎo)體存儲解決方案的重要供應(yīng)商之一。其低功耗DDR SDRAM系列在穩(wěn)定性、兼容性和供貨周期上都有不錯的口碑。
 

　　對于工程師或采購來說，選擇低功耗DDR SDRAM時，除了關(guān)注帶寬和容量，更要留意工作電壓和封裝尺寸。EMD56164PBH-601的1.8V電壓相比早期DDR1的2.5V有明顯功耗優(yōu)勢，同時保留DDR架構(gòu)的雙邊傳輸特性——無需增加時鐘頻率，就能獲得兩倍于SDRAM的數(shù)據(jù)吞吐量。此外，JSC在這顆DDR SDRAM芯片上加入了雙向數(shù)據(jù)控制接腳（DQS），配合上升/下降沿雙觸發(fā)機(jī)制，有效降低了讀寫時的信號偏移問題。

 

　　英尚微目前常備現(xiàn)貨，可提供快速樣品支持及小批量訂購。如果您的項(xiàng)目正面臨低功耗DDR SDRAM的選型困擾，或者需要國產(chǎn)替代方案，可以聯(lián)系英尚微獲取詳細(xì)規(guī)格書與報價。我們支持現(xiàn)貨直發(fā)，可以縮短您的研發(fā)與生產(chǎn)周期，歡迎隨時來電洽談。

本文關(guān)鍵詞：DDR SDRAM
 

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