在高密度、高速率的半導(dǎo)體系統(tǒng)應(yīng)用場(chǎng)景中，SRAM憑借穩(wěn)定的讀寫(xiě)性能、靜態(tài)存儲(chǔ)優(yōu)勢(shì)，成為各類工業(yè)及商用電子設(shè)備的核心存儲(chǔ)器件。偉凌創(chuàng)芯推出的8Mbit異步快速靜態(tài)SRAM存儲(chǔ)器，依托成熟的CMOS先進(jìn)工藝打造，適配各類高速電路運(yùn)行需求，憑借優(yōu)異的綜合性能，異步SRAM廣泛適配高密度高速電子系統(tǒng)的搭建與升級(jí)。
 

EMI異步SRAM型號(hào)EMI508WF16VB-15是一款8，388，608位高速靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器組織為512K16位的字。它使用16個(gè)公共輸入輸出線并具有輸出使能引腳操作速度比讀取時(shí)的地址訪問(wèn)時(shí)間更快循環(huán)。該設(shè)備是使用先進(jìn)的CMOS工藝、基于6-TR的單元技術(shù)和專為高速電路技術(shù)而設(shè)計(jì)，摒棄復(fù)雜的運(yùn)行邏輯，全程支持完全靜態(tài)操作，無(wú)需時(shí)鐘信號(hào)輔助運(yùn)行，特別適用于高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用。
 

在運(yùn)行時(shí)序方面，異步SRAM設(shè)備輸出使能引腳響應(yīng)速度優(yōu)異，運(yùn)行效率優(yōu)于常規(guī)地址訪問(wèn)讀取速度。所有讀周期時(shí)序均以有效地址為基準(zhǔn)切換，可有效規(guī)避讀寫(xiě)周期內(nèi)的總線競(jìng)爭(zhēng)問(wèn)題，保障DQ常規(guī)應(yīng)用場(chǎng)景下的數(shù)據(jù)傳輸穩(wěn)定性，大幅降低設(shè)備運(yùn)行故障概率。

 

 

①異步SRAM快速訪問(wèn)時(shí)間:15ns

②CMOS低功耗待機(jī)模式

③寬電源電壓范圍:1.65V至3.6V

④TTL兼容輸入和輸出

⑤完全靜態(tài)操作

⑥三種狀態(tài)輸出

⑦數(shù)據(jù)字節(jié)控制(x8、x16模式)

⑧標(biāo)準(zhǔn)44TSOP2封裝

⑨工業(yè)運(yùn)行溫度

⑩異步SRAM符合ROHS標(biāo)準(zhǔn)
 

憑借高速、低耗、高穩(wěn)定、強(qiáng)兼容的綜合優(yōu)勢(shì)，這款偉凌創(chuàng)芯異步SRAM存儲(chǔ)器主打高密度高速系統(tǒng)應(yīng)用，可廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制設(shè)備、智能嵌入式系統(tǒng)、通信電子設(shè)備、車載電子模塊等場(chǎng)景，是高端電子系統(tǒng)存儲(chǔ)升級(jí)的優(yōu)選器件。
 

作為偉凌創(chuàng)芯的全權(quán)授權(quán)代理，深圳市英尚微電子有限公司連接原廠資源，專注于存儲(chǔ)芯片、半導(dǎo)體產(chǎn)品的供應(yīng)與解決方案設(shè)計(jì)。我們的使命是超越單純的元件供應(yīng)，憑借專業(yè)的行業(yè)經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，為客戶提供最佳的存儲(chǔ)選型設(shè)計(jì)方案，如您有需要，歡迎來(lái)電咨詢。

本文關(guān)鍵詞：SRAM
 

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