MRAM存儲(chǔ)芯片是一種利用電子自旋存儲(chǔ)信息的內(nèi)存技術(shù)。MRAM有望成為通用存儲(chǔ)器——既能達(dá)到存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存的密度，又具備SRAM的速度，同時(shí)兼具非易失性和低功耗特性，擁有讀寫次數(shù)無限、寫入速度快、功耗低、面積小、泄露小、容量高、抗輻射性和邏輯芯片整合度高的特點(diǎn)。
 

相比MRAM存儲(chǔ)芯片，普通RAM（隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）是電子設(shè)備常用的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)，屬于典型的易失性存儲(chǔ)器，斷電后存儲(chǔ)數(shù)據(jù)會(huì)全部丟失。市面上主流的RAM主要分為SRAM和DRAM兩類，各有適配場(chǎng)景與性能短板。其中SRAM讀寫速度極快，無需持續(xù)刷新數(shù)據(jù)，穩(wěn)定性出眾，但制造成本偏高、存儲(chǔ)容量有限，多用于設(shè)備高速緩存場(chǎng)景。DRAM性價(jià)比更高、容量適配性強(qiáng)，是設(shè)備主存的主流選擇，但存在電荷泄漏問題，需要不間斷刷新維持?jǐn)?shù)據(jù)，整體功耗與性能表現(xiàn)存在一定局限。
 

MRAM存儲(chǔ)芯片是新一代磁阻式非易失性存儲(chǔ)芯片，徹底打破了普通RAM電荷存儲(chǔ)的原理局限。MRAM存儲(chǔ)芯片核心依托自旋電子特性，通過鐵磁性與非磁性材料構(gòu)建磁隧道結(jié)（MTJ）結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。區(qū)別于傳統(tǒng)RAM，MRAM依靠磁矩極化狀態(tài)記錄信息，即便設(shè)備斷開電源，MTJ結(jié)構(gòu)的磁化狀態(tài)也能穩(wěn)定保持，實(shí)現(xiàn)斷電數(shù)據(jù)不丟失，同時(shí)規(guī)避了傳統(tǒng)存儲(chǔ)器電荷泄漏、頻繁刷新的痛點(diǎn)。

本文關(guān)鍵詞：MRAM
 

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