ISSI現(xiàn)在正在生產32Mb高速低功耗異步SRAM，這是我們SRAM產品系列的最新產品。這種創(chuàng)新的設計加強了ISSI對具有最高質量和性能的SRAM的長期承諾。
 
32Mb SRAM在汽車A3溫度范圍（-40°C至+ 125°C）下提供12ns的訪問時間。
 
ISSI IS61 / 64WV204816ALL / BLL是高速32M位靜態(tài)RAM，組織為2048K字乘16位。它是使用ISSI的高性能CMOS技術制造的。
 
這種高度可靠的工藝加上創(chuàng)新的電路設計技術，可生產出高性能和低功耗的設備。
 
當CS＃為高電平（取消選擇）時，器件將進入待機模式，在該模式下，可以通過CMOS輸入電平降低功耗。使用芯片使能和輸出使能輸入可輕松擴展存儲器。激活的LOW Write Enable（WE＃）控制存儲器的寫入和讀取。數(shù)據(jù)字節(jié)允許訪問高字節(jié)（UB＃）和低字節(jié)（LB＃）。
 
該器件采用JEDEC標準的48引腳TSOP（TYPE I）和48引腳微型BGA（6mm x 8mm）封裝，應用范圍在汽車/工業(yè)/醫(yī)療/電信/網(wǎng)絡等。

	IS61WV204816BLL (I)	IS64WV204816BLL (A3)	注釋
溫度支持	工業(yè) (-40°C to +85°C)	汽車 (-40°C to +125°C)
技術	40nm	40nm
電源電壓	2.4V ~ 3.6V	2.4V ~ 3.6V
工作電流（最大）	100mA	135mA
待機電流（Typ）	10mA	10mA
包裝	TSOP-I（48針） BGA（48球）	TSOP-I（48針） BGA（48球）	引腳兼容 16Mb異步SRAM
速度	10ns	12ns
銅引線框	是	是
無鉛PKG	是	是	符合RoHS

 
SRAM存儲器是隨機存取存儲器之一。每個字節(jié)或字都有一個地址，可以隨機訪問。 SRAM支持三種不同的模式。每個功能在下面的“真值表”中進行了描述。
 
待機模式
取消選擇時，設備進入待機模式（CS＃高）。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于高阻抗狀態(tài)。此模式下的CMOS輸入將最大程度地節(jié)省功率。
 
寫模式
選擇芯片（CS＃）且寫使能（WE＃）輸入為LOW時發(fā)生寫操作問題。輸入和輸出引腳（I / O0-15）處于數(shù)據(jù)輸入模式。即使OE＃為LOW，在此期間輸出緩沖區(qū)也會關閉。 UB＃和LB＃啟用字節(jié)寫入功能。通過將LB＃設為低電平，將來自I / O引腳（I / O0至I / O7）的數(shù)據(jù)寫入地址引腳上指定的位置。且UB＃為低電平時，來自I / O引腳（I / O8至I / O15）的數(shù)據(jù)被寫入該位置。
 
讀取模式
選擇芯片時（CS＃為低電平），寫使能（WE＃）輸入為高電平時，讀操作出現(xiàn)問題。當OE＃為LOW時，輸出緩沖器打開以進行數(shù)據(jù)輸出。不允許在讀取模式下對I / O引腳進行任何輸入。 UB＃和LB＃啟用字節(jié)讀取功能。通過啟用LB＃LOW，來自內存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O0-7上。且UB＃為低電平時，來自內存的數(shù)據(jù)出現(xiàn)在I / O8-15上。
 
在讀取模式下，可以通過將OE＃拉高來關閉輸出緩沖器。在此模式下，內部設備作為READ操作，但I / O處于高阻抗狀態(tài)。由于器件處于讀取模式，因此使用有功電流。
 
上電初始化
該器件包括用于啟動上電初始化過程的片上電壓傳感器。
當VDD達到穩(wěn)定水平時，器件需要150us的tPU（上電時間）來完成其自初始化過程。
初始化完成后，設備即可正常運行。


本文關鍵詞：SRAM    低功耗異步SRAM   ISSI代理

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