SRAM是一種隨機(jī)存取存儲器(RAM)，它使用基于觸發(fā)器的鎖存電路來存儲每個位。只要有電源，數(shù)據(jù)位就會保留在存儲器中。與動態(tài)RAM(DRAM)不同，SRAM不必定期刷新。SRAM有兩種不同的風(fēng)格：同步和異步。同步SRAM是與稱為時鐘的外部信號同步的設(shè)備。設(shè)備只會在時鐘的特定狀態(tài)下將信息讀取和寫入內(nèi)存。另一方面，異步SRAM不依賴于時鐘的狀態(tài)。它會在收到指令后立即開始向內(nèi)存中讀取或?qū)懭胄畔ⅰ?br />  
賽普拉斯為網(wǎng)絡(luò)、汽車、消費(fèi)電子、工業(yè)、醫(yī)療、航空航天和國防等各種應(yīng)用提供各種高速、低功耗和可靠的SRAM。憑借多樣化的異步、同步和雙端口SRAM產(chǎn)品組合以及穩(wěn)定供應(yīng)和長期產(chǎn)品支持的承諾，賽普拉斯是首選的SRAM供應(yīng)商。英尚微代理介紹一款市面上比較受歡迎的一款賽普拉斯4Mbit異步SRAM。
 
CY7C1041GN30-10ZSXIT是一款是高性能CMOS快速靜態(tài)RAM，按16位組織為256K字。容量4Mbit的高速異步快速SRAM,訪問速度10ns/15ns，低活動和待機(jī)電流，工作電壓范圍2.2V~3.6V，1.0-V數(shù)據(jù)保留，工作溫度-40℃~ 85℃，具備TTL兼容的輸入和輸出，封裝采用無鉛44-pinTSOPII。
 
引腳配置
     
CY7C1041GN30-10ZSXIT數(shù)據(jù)寫入通過將芯片使能(CE)和寫入使能(WE)輸入置為低電平來執(zhí)行，同時在I/O0至I/O15上提供數(shù)據(jù)并在A0至A17引腳上提供地址。字節(jié)高使能(BHE)和字節(jié)低使能(BLE)輸入控制對指定存儲器位置的高字節(jié)和低字節(jié)的寫操作。BHE通過I/O15控制I/O8，BLE通過I/O7控制I/O0。
 
數(shù)據(jù)讀取是通過將芯片使能(CE)和輸出使能(OE)輸入置為低電平并在地址線上提供所需地址來執(zhí)行的。讀取數(shù)據(jù)可通過I/O線（I/O0到I/O15）訪問。字節(jié)訪問可以通過置位所需的字節(jié)使能信號（BHE或BLE）來執(zhí)行，以從指定地址位置讀取數(shù)據(jù)的高字節(jié)或低字節(jié)。
 
在以下事件期間，所有I/O（I/O0到I/O15）都處于高阻抗?fàn)顟B(tài)：
■設(shè)備被取消選擇(CEHIGH)
■控制信號（OE、BLE、BHE）無效
 
借助片上硬件ECC（糾錯碼），賽普拉斯的SRAM可以在線執(zhí)行所有與ECC相關(guān)的功能，無需干預(yù)。更高能量的外星輻射可以翻轉(zhuǎn)多個相鄰位，導(dǎo)致多位錯誤。ECC的單比特錯誤檢測和糾正能力由比特交織方案補(bǔ)充，以防止多比特錯誤的發(fā)生。這些特性共同顯著提高了軟錯誤率(SER)性能，從而實(shí)現(xiàn)低于0.1FIT/Mbit的行業(yè)領(lǐng)先FIT率。


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