Everspin的xSPI STT-MRAM產(chǎn)品系列提供高性能、多I/O、SPI兼容性，并具有高速、低引腳數(shù)SPI兼容總線接口，時鐘頻率高達200MHz。這些持久存儲器MRAM設(shè)備在單個1.8V電源上運行，并通過八個I/O信號為讀取和寫入提供高達400MBps的數(shù)據(jù)。
 
EM064LX產(chǎn)品系列的主要一般優(yōu)勢。第一個也是最突出的好處是速度。EMxxLX系列支持以總線速度進行讀寫訪問，在八進制DTR配置中可以達到400MB/s。在實踐中能否實現(xiàn)這一速度很大程度上取決于主機處理器的性能。盡管如此，即使在更常見的（無論如何對于深度嵌入式應(yīng)用）和保守的Quad SPI配置中，也獲得了接近60MB/s的對稱讀/寫速度，與典型的NOR和NAND性能相去甚遠。
 
MRAM的另一個明顯優(yōu)點是其低能耗。根據(jù)EM064LX數(shù)據(jù)表，在DTR八進制配置和200 MHz時鐘速度下，有效寫入電流為155mA。快速返回包絡(luò)線計算得出每字節(jié)0.155 A x 1.8 V/400 MB/s=0.7 nJ的寫入能量。這大約是NAND的10倍，NOR的200倍。
 
最后，MRAM的特點是幾乎無限的耐久性，這大大簡化了軟件設(shè)計。內(nèi)存耐久性是指在保持一組原始規(guī)范（如最大錯誤率和加載/編程/擦除時間）的同時可以執(zhí)行的編程/擦除周期數(shù)。有限的續(xù)航能力是閃存管理軟件復(fù)雜性的主要原因之一。在文件系統(tǒng)級別，需要使用磨損均衡算法，以確保寫入操作在所有塊中均勻分布。這對于防止擋塊過早磨損，最終使整個設(shè)備無法使用至關(guān)重要。在更高級別上，從早期設(shè)計階段到驗證階段以及之后，必須使用診斷工具處理有限的耐久性問題，以便在現(xiàn)場監(jiān)測設(shè)備。這同樣適用于裸閃存和托管閃存。更多產(chǎn)品詳情請聯(lián)系代理RAMSUN.

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