斷電存儲(chǔ)是單片機(jī)系統(tǒng)中非常常見(jiàn)的作用。非易失性存儲(chǔ)器也有很多選擇，如非易失性存儲(chǔ)器EEPROM.FRAM.單片機(jī)內(nèi)部Flash.SPI flash.eMMC.SD卡.NAND flash等.我司英尚微電子存儲(chǔ)器供應(yīng)商,專業(yè)提供各類存儲(chǔ)器,閃存,并提供樣品及相關(guān)技術(shù)支持服務(wù).

    工程師必須根據(jù)項(xiàng)目的實(shí)際需要選擇存儲(chǔ)器，一般應(yīng)考慮以下幾個(gè)方面：

    1.容量
    容量是選擇存儲(chǔ)器時(shí)首先要了解的東西。一般來(lái)說(shuō)，EEPROM和FRAM的容量比較??；

    二是單片機(jī)內(nèi)部Flash，根據(jù)不同型號(hào)的單片機(jī)，它可以分配不同尺寸的容量，也在KB級(jí)別。一般來(lái)說(shuō)，這種小  容量存儲(chǔ)器只適合存儲(chǔ)一些系統(tǒng)參數(shù)；

    然后是SPI Flash，一般容量在幾MB到幾十MB，可用于存儲(chǔ)參數(shù)和少量數(shù)據(jù)；
最后是SD卡.eMMC.NAND Flash等大容量存儲(chǔ)器，一般都在GB級(jí)別，可以存儲(chǔ)大量的數(shù)據(jù)。
 
    2.讀寫(xiě)速度

    最先講講eMMC.SD卡.NAND flash等大容量存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器通常與文件系統(tǒng)一起使用，其讀寫(xiě)速度取決于接口類型（SPI.SDIO等）.一次性寫(xiě)入數(shù)據(jù)大小.存儲(chǔ)器本身的速度等級(jí)限制。一般來(lái)說(shuō)，平均速度會(huì)達(dá)到幾百個(gè)KB~幾MB/秒。

    其次是單片機(jī)內(nèi)部Flash和SPI Flash。Flash特點(diǎn)是整個(gè)頁(yè)面(扇區(qū)域或塊)必須擦掉才能寫(xiě)入，扇區(qū)域的擦拭時(shí)間一般在幾十ms。因此，F(xiàn)lash寫(xiě)入速度也會(huì)受到限制。但是在獲取數(shù)據(jù)時(shí)沒(méi)有這樣的限制。

    再說(shuō)一下EEPROM。IIC接口，接口速率可達(dá)4000K甚至1M。速率似乎還可以，但需要注意的是，跨頁(yè)寫(xiě)作需要5ms等待。因此，一旦寫(xiě)入數(shù)據(jù)必須跨頁(yè)，整體速率就會(huì)受到很大影響。

    如果需要更快的寫(xiě)入速度，只能選擇FRAM，鐵電存儲(chǔ)器沒(méi)有頁(yè)面的概念，所以沒(méi)有等待時(shí)間，與等待時(shí)間相比，與EEPROM相比?？梢源蟠筇岣邔?xiě)入速度。

    3.擦寫(xiě)壽命
    正常情況下，flash存儲(chǔ)器的擦寫(xiě)頻率在1~10萬(wàn)次左右，單片機(jī)內(nèi)部的flash擦寫(xiě)頻率相對(duì)較小，如STM32可達(dá)1萬(wàn)次，部分單片機(jī)的flash擦寫(xiě)頻率只有1000次，應(yīng)用時(shí)一定要注意。

    如果需要頻繁寫(xiě)入，考慮使用壽命，可能需要配合損壞平衡算法來(lái)實(shí)現(xiàn)。SD卡是內(nèi)置的損壞平衡，而其他flash或eeprom則需要自己完成損壞平衡算法，或者使用帶損壞平衡算法的文件系統(tǒng)。
 
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