MRAM是一種新型非易失存儲(chǔ)器，采用電子的自旋屬性表征數(shù)據(jù)信息的存儲(chǔ)及傳輸，具備高速讀寫(xiě)、低功耗、高密度、耐擦寫(xiě)、寬溫區(qū)和抗輻照等優(yōu)勢(shì)，被廣泛認(rèn)為是下一代非易失存儲(chǔ)芯片的理想選擇。MRAM具能夠?qū)⒋鎯?chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。
 
    在汽車應(yīng)用上面，Netslo MRAM非易失性存儲(chǔ)器幾乎可以在任何汽車系統(tǒng)中提高性能并降低成本，保護(hù)有價(jià)值的數(shù)據(jù)并降低成本MRAM內(nèi)存是保留的車輛數(shù)據(jù)，簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低BOM成本的最佳解決方案。是保護(hù)數(shù)據(jù)的最佳解決方案.樣品測(cè)試及詳情信息歡迎咨詢官方代理英尚微電子。
 
    核心特征
    -容量 : 1Mb、2Mb、4Mb、8Mb、16Mb、32Mb
    -電源供應(yīng) ：1.8V（1.71V～1.98V）或3.3V（2.7V～3.6V）
     -具有SDR和DDR串行接口兼容性的單線、雙線和四線SPI。
     -數(shù)據(jù)保存期 ：10年
     -讀取耐力 ：無(wú)限
     -寫(xiě)入耐力 : 10¹⁴
     -無(wú)需外部ECC
     -工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳及封裝 ：8WSON、8SOP
 

本文關(guān)鍵詞：MRAM,Netslo MRAM

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