雙倍數(shù)據(jù)速率II（DDR2）SDRAM通過(guò)將I/O時(shí)鐘提升至DDR的兩倍，實(shí)現(xiàn)了數(shù)據(jù)傳輸帶寬的跨越式增長(zhǎng)，為通信設(shè)備、工業(yè)控制及嵌入式系統(tǒng)提供了穩(wěn)定可靠的數(shù)據(jù)緩沖支持?；诔杀拘б媾c可靠性的平衡設(shè)計(jì)，DDR2 SDRAM可廣泛應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)、基站控制板、高清視頻處理設(shè)備及工業(yè)自動(dòng)化控制器。
 

 

　　EM68256WQCA是一款符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的CMOS型DDR2 SDRAM，存儲(chǔ)容量為256兆位，采用16位數(shù)據(jù)I/O寬口設(shè)計(jì)。SDRAM內(nèi)部邏輯架構(gòu)為四庫(kù)結(jié)構(gòu)，每個(gè)存儲(chǔ)庫(kù)包含4Mb地址空間，通過(guò)并行操作模式顯著提升了隨機(jī)存取效率。其設(shè)計(jì)嚴(yán)格遵循DDR2標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議，集成發(fā)布CAS（列地址選通）與附加延遲功能，支持寫入延遲等于讀取延遲減一的時(shí)序邏輯，有效優(yōu)化了指令流水線。
 

 

　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器EM68256WQCA DDR2 SDRAM采用源同步雙向數(shù)據(jù)選通（DQS與DQS#），對(duì)DDR2 SDRAM的讀寫訪問(wèn)是4或者面向8比特突發(fā)；訪問(wèn)從選定的開(kāi)始定位并繼續(xù)編程的次數(shù)編程序列中的位置。操作以交錯(cuò)方式的四個(gè)存儲(chǔ)體允許隨機(jī)存取操作以高于對(duì)于標(biāo)準(zhǔn)的DRAMs。SDRAM自動(dòng)預(yù)充電可以啟用函數(shù)來(lái)提供自定時(shí)行在突發(fā)結(jié)束時(shí)啟動(dòng)的預(yù)充電序列。連續(xù)無(wú)間隙數(shù)據(jù)速率為可能取決于突發(fā)長(zhǎng)度、CAS延遲和設(shè)備的速度等級(jí)。

 

 

　　SDRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器EM68256WQCA的特征

 

　?、俜螶EDEC標(biāo)準(zhǔn)

 

　　②電源：+1.8V±0.1V

 

　　③工作溫度：0~85°C

 

　?、苤С諮EDEC時(shí)鐘抖動(dòng)規(guī)格

 

　?、萃耆竭\(yùn)行

 

　　⑥快速時(shí)鐘速率：333/400/533 MHz

 

　?、唠p向單/差分?jǐn)?shù)據(jù)選通

 

　?、鄡?nèi)部流水線架構(gòu)

 

　?、峥删幊棠Ｊ胶蛿U(kuò)展模式寄存器

 

　　⑩片外驅(qū)動(dòng)器(OCD)

 

　　?阻抗調(diào)整

 

　　?SDRAM可調(diào)數(shù)據(jù)輸出驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度

 

　　?片內(nèi)端接(ODT)

 

　　?SDRAM符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)