MRAM存儲(chǔ)芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）結(jié)合了SRAM的高速讀寫與閃存的非易失性兩大特點(diǎn)。Everspin作為全球領(lǐng)先的MRAM存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商，推出的并行接口MRAM產(chǎn)品——MR0D08B，正逐步成為替代傳統(tǒng)SRAM、EEPROM、閃存以及電池供電SRAM（BBSRAM）的理想選擇。

 

　　Everspin 8位/16位并行接口存儲(chǔ)芯片與SRAM兼容，具有35/45ns訪問時(shí)序和無限耐久性。數(shù)據(jù)在超過20年的時(shí)間內(nèi)不會(huì)發(fā)生變化。Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片的低壓抑制電路會(huì)在斷電時(shí)自動(dòng)保護(hù)數(shù)據(jù)，防止電壓超出規(guī)格時(shí)寫入數(shù)據(jù)。Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片MR0D08B是應(yīng)用的理想存儲(chǔ)器解決方案必須永久存儲(chǔ)和快速檢索關(guān)鍵數(shù)據(jù)和程序。MR0D08B在很寬的溫度范圍內(nèi)提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。該產(chǎn)品提供商用溫度(0至+70°c)。

 

　　Everspin并行接口MRAM存儲(chǔ)芯片特征

 

　?、費(fèi)R0D08B是雙電源(VDDQ)1Mb x8并行接口MRAM

 

　　②MRAM存儲(chǔ)芯片容量大?。?Mb

 

　?、跰RAM存儲(chǔ)芯片工作電壓：3.3v

 

　?、躀/O電壓范圍支持+1.65至+3.6伏的寬接口

 

　?、菘焖?5 ns讀/寫周期

 

　　⑥斷電時(shí)保留數(shù)據(jù)

 

　　⑦數(shù)據(jù)非易失性，可保留20年

 

　?、郤RAM兼容時(shí)序

 

　?、釤o限的讀寫耐久性

 

　?、夥蟁oHS標(biāo)準(zhǔn)的小尺寸BGA封裝

 

　　?MRAM存儲(chǔ)芯片更簡(jiǎn)單、更高效的設(shè)計(jì)

 

　　?通過替換電池支持的SRAM提高可靠性

 

上一篇文章：Etron低功耗DDR2 SDRAM內(nèi)存芯片EM68916CBQE

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