一、Etron高性能工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165TS系列概述
Etron EM639165系列是一款主打高速、穩(wěn)定的工業(yè)級(jí)DRAM存儲(chǔ)器，采用先進(jìn)高速CMOS工藝打造，擁有128Mb存儲(chǔ)密度，是適配多場(chǎng)景高性能設(shè)備的同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。這款DRAM存儲(chǔ)器內(nèi)部采用4組2M字×16位的架構(gòu)設(shè)計(jì)，搭配標(biāo)準(zhǔn)同步接口，所有數(shù)據(jù)信號(hào)均依托時(shí)鐘信號(hào)正沿完成同步傳輸，有效規(guī)避數(shù)據(jù)傳輸延遲、信號(hào)錯(cuò)亂等問(wèn)題，保障設(shè)備運(yùn)行穩(wěn)定性。
DRAM存儲(chǔ)器讀寫(xiě)操作采用突發(fā)式訪問(wèn)機(jī)制，支持自定義讀寫(xiě)長(zhǎng)度與傳輸模式，可從指定存儲(chǔ)位置啟動(dòng)訪問(wèn)，并按照預(yù)設(shè)序列完成批量數(shù)據(jù)傳輸。同時(shí)搭載可編程模式寄存器、自動(dòng)預(yù)充電、雙重刷新等實(shí)用功能，能夠根據(jù)系統(tǒng)運(yùn)行需求靈活適配工作模式，大幅提升整體運(yùn)行效率，廣泛適配高內(nèi)存帶寬需求的工業(yè)設(shè)備及高性能PC設(shè)備。
二、Etron高性能工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165系列性能與特性
1、高速傳輸性能
EM639165系列DRAM存儲(chǔ)器具備出色的速度優(yōu)勢(shì)，時(shí)鐘訪問(wèn)時(shí)間低至4.5ns，支持200MHz、166MHz、143MHz多檔位高速時(shí)鐘速率。依托內(nèi)部流水線架構(gòu)與全同步運(yùn)行設(shè)計(jì)，設(shè)備數(shù)據(jù)吞吐效率大幅提升，可滿足高頻、快速的數(shù)據(jù)讀寫(xiě)場(chǎng)景需求，適配高性能運(yùn)算設(shè)備的運(yùn)行標(biāo)準(zhǔn)。
2、靈活可編程配置
EM639165系列DRAM存儲(chǔ)器搭載可編程模式寄存器，支持多項(xiàng)參數(shù)自定義調(diào)試。用戶可按需設(shè)置2/3檔CAS延遲，搭配1、2、4、8及整頁(yè)多種突發(fā)長(zhǎng)度，同時(shí)支持順序、交錯(cuò)兩種突發(fā)類(lèi)型，自帶突發(fā)停止功能，可精準(zhǔn)匹配不同系統(tǒng)的運(yùn)行邏輯，最大化釋放設(shè)備運(yùn)行性能。
3、穩(wěn)定耐用運(yùn)行機(jī)制
DRAM存儲(chǔ)器內(nèi)置自動(dòng)刷新與自我刷新雙重模式，配備4096個(gè)刷新周期/64毫秒的穩(wěn)定刷新機(jī)制，杜絕數(shù)據(jù)丟失、錯(cuò)亂問(wèn)題。支持CKE掉電節(jié)能模式，搭配3.3V±0.3V單電源供電，功耗控制優(yōu)異。商用級(jí)工作溫度區(qū)間為0℃~70℃，適配常規(guī)工業(yè)及民用設(shè)備運(yùn)行環(huán)境，LVTTL接口進(jìn)一步保障信號(hào)傳輸兼容性。
三、Etron高性能工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165系列部分型號(hào)
①Etron工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165TS-5G
②Etron工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165TS-6G
③Etron工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165TS-7G
④Etron工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165BM-5H
⑤Etron工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165BM-6H
⑥Etron工業(yè)DRAM存儲(chǔ)器EM639165BM-7H
作為Etron的一級(jí)代理商，英尚微電子提供豐富的DRAM產(chǎn)品，具備專(zhuān)業(yè)的技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)，能夠?yàn)榭蛻籼峁倪x型到設(shè)計(jì)服務(wù)。致力于為客戶提供DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器解決方案。如果您有DRAM產(chǎn)品方面的任何疑問(wèn)，可以聯(lián)系英尚微電子進(jìn)行咨詢。
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