Everspin的合作伙伴CAES他們共同開發(fā)的Toggle MRAM在太空應(yīng)用中的多功能性和性能。CAES是太空存儲器市場的翹楚，并基于Everspin的技術(shù)交付生產(chǎn)級，符合太空要求的磁阻隨機存取存儲器（MRAM），為太空工業(yè)提供輻射硬化，高度可靠的非易失性不受單事件翻轉(zhuǎn)（SEU），低壓單事件閂鎖（SEL）和單事件門破裂（SEGR）影響的存儲器。該產(chǎn)品還在-40°C至+ 105°C的溫度范圍內(nèi)提供無限的耐用性和超過20年的使用壽命。

 
Everspin 4 Mbit MRAM（磁性隨機存取存儲器）芯片由Everspin Technologies和IMU（慣性測量單元）芯片組成。新興的MRAM技術(shù)結(jié)合了磁性材料和硅集成電路，形成了快速，可靠的非易失性RAM（NVRAM）。MRAM結(jié)合了具有擴展的溫度操作，無限的耐久性和長久性的非易失性存儲器。數(shù)據(jù)保留，即使斷電也是如此。 Everspin的4Mbit MRAM器件取代了閃存和電池供電的SRAM。


由于MRAM耐輻射。為堅固的系統(tǒng)設(shè)計提供高溫數(shù)據(jù)存儲和訪問以及高可靠性。在空間中對MRAM進(jìn)行重新編程的能力允許對系統(tǒng)進(jìn)行重新配置，而對耐久性，負(fù)載均衡或ECC開銷沒有任何限制。所以MRAM是非常適合使用于航空航天應(yīng)用中。 



工業(yè)級Everspin 4Mbit MRAM

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp	MOQ(pcs)/ T&R
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP2	3.3V	Extended	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP2	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	1,500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	2,000
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	Extended	2,000
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	Commercial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	Industrial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	AEC-Q100 Grade 1	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	Commercial	696
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	Industrial	696
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35R	44-TSOP2	3.3v	Extended	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35R	48-BGA	3.3v	Extended	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	2000
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	1500
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	2000
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	270
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35R	44-TSOP2	3.3v	Industrial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35R	48-BGA	3.3v	Industrial	696
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35R	44-TSOP2	3.3v	Commercial	270
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35R	48-BGA	3.3v	Commercial	696
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35R	44-TSOP2	3.3v	AEC-Q100 Grade 1	1500

 
 

本文關(guān)鍵詞： MRAM

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