異步型SRAM的典型存取時(shí)間為8ns（或更長(zhǎng)）。因此，它們一般應(yīng)用于時(shí)鐘頻率為100MHz（或更低）的系統(tǒng)中。異步型SRAM可被進(jìn)一步劃分為兩種主要類(lèi)別：即快速異步型SRAM和低功耗異步型 SRAM（MoBLTM）。 

1：快速異步型SRAM 存取時(shí)間為35ns（或更短）的異步型SRAM可被歸類(lèi)為“快速”異步型SRAM。這些存儲(chǔ)器通常應(yīng)用于老式系統(tǒng)中，且功耗較高（1/2W或更高是司空見(jiàn)慣的）。其典型應(yīng)用包括老式PC L2高速緩沖存儲(chǔ)器、高速暫存器以及工業(yè)應(yīng)用中的緩沖存儲(chǔ)器。 

2：MoBLTM低功耗異步型SRAM 有些應(yīng)用（例如移動(dòng)電話）對(duì)功耗的關(guān)注程度要超過(guò)對(duì)性能的關(guān)注程度。因此，制造商（比如賽普拉斯公司）推出了功耗極低的SRAM系列。賽普拉斯的 MoBL（意指“更長(zhǎng)的電池使用壽命”）低功耗異步型SRAM產(chǎn)品庫(kù)匯集了多款典型存取時(shí)間約為40ns（或更長(zhǎng)）并專(zhuān)為實(shí)現(xiàn)低功耗而優(yōu)化的器件。典型待機(jī)功耗可低至10μW（或更低），而運(yùn)行功耗則可低至30mW（或更低）。

這些器件的存儲(chǔ)密度各異，從64Kb到16Mb一應(yīng)俱全。 偽SRAM（亦即PSRAM） 如果需要16Mb以上的存儲(chǔ)密度，則PSRAM（或稱(chēng)偽PSRAM）是一種可行的解決方案。

所謂偽SRAM是指一種具有一個(gè)DRAM存儲(chǔ)器內(nèi)核和一個(gè)“SRAM型”接口的存儲(chǔ)器件。由于PSRAM使用了一個(gè)DRAM內(nèi)核，因而也需要進(jìn)行周期性的刷新，以便保存數(shù)據(jù)。但不同的是，標(biāo)準(zhǔn)DRAM的刷新控制是在器件外部進(jìn)行的，而PSRAM則具有一個(gè)“隱式”刷新電路，這使得它們能夠被容易地用作其他異步型SRAM的存儲(chǔ)密度升級(jí)型器件。

 結(jié)論：在選擇SRAM時(shí)，您會(huì)面對(duì)眾多的選擇方案。在某些場(chǎng)合，選擇是有限的。許多已經(jīng)確立了自己穩(wěn)固地位的處理器都包含了支持特殊SRAM架構(gòu)的存儲(chǔ)控制器。新型處理器的設(shè)計(jì)則更靈活。

為了決定最佳的可選方案，至關(guān)重要的是確定存儲(chǔ)器子系統(tǒng)（即兆比特每秒、初始延遲、運(yùn)行功耗、待機(jī)功耗、成本等等）的優(yōu)先級(jí)以及系統(tǒng)的工作特性（讀/寫(xiě)操作模式、工作頻率等等）。 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用往往具有接近50/50的讀/寫(xiě)模式，它適合于采用QDR系列的解決方案。其他應(yīng)用（甚至是同一個(gè)系統(tǒng)內(nèi)的功能電路）則往往具有不平衡的讀/寫(xiě)模式，這就適合于采用公共I/O架構(gòu)，包括標(biāo)準(zhǔn)同步型、NoBL型和DDR型。

本文關(guān)鍵詞：SRAM  標(biāo)準(zhǔn)同步型  PSRAM

相關(guān)文章：各種同步型SRAM比較 （二）

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