基于ReRAM技術(shù)的SSD即將面世
2017-11-10 15:35:32
SSD雖然能夠通過(guò)堆疊層數(shù)來(lái)增大單顆粒容量，但隨著層數(shù)越來(lái)越多，所需要的硅穿孔數(shù)目越多，制造難度直線上升，不僅生產(chǎn)成本高，良品率也無(wú)法保證、，一些擁有深厚技術(shù)的存儲(chǔ)廠商早就開(kāi)始探索新一代非易失性存儲(chǔ)器了。除了Intel那個(gè)未知原理的3D XPoint閃存以外，還有大熱的ReRAM，這是一種以電阻值來(lái)記錄數(shù)據(jù)的非易失性存儲(chǔ)器，具有單位面積容量大、讀寫(xiě)速度快特性，而對(duì)此研究了好些年的Mobiveil聯(lián)合Crossbar將會(huì)推出基于ReRAM技術(shù)的SSD，為存儲(chǔ)市場(chǎng)增添新活力。
ReRAM其實(shí)就是一種憶阻器模型，是一種能夠描述電荷和磁通之間關(guān)系的全新元件，也是一種具有記憶功能的非線性電阻，不僅可以記憶流經(jīng)自身的電荷數(shù)量，也可以通過(guò)控制激勵(lì)源的電流或者磁通來(lái)改變自身的阻值大小，并且這種阻值變化可以在斷電下繼續(xù)保存相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間。
單一憶阻器其實(shí)就是一個(gè)長(zhǎng)條形的器件，擁有三層結(jié)構(gòu)，包含有上下電極和中間的開(kāi)關(guān)層，通過(guò)電極施加不同的電壓值就能改變中間的特殊結(jié)構(gòu)的電阻值，從而達(dá)到存儲(chǔ)數(shù)據(jù)功能（電阻值代表0/1或者是更多位數(shù)據(jù)）。其穩(wěn)定性非常好，具備了普通閃存顆粒不具備的超寬溫度耐受值，-40-125℃。一百萬(wàn)次讀寫(xiě)周期后，在85℃下數(shù)據(jù)可以保持10年不消失。
而且這種長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)可以很容易地組建成大規(guī)模陣列，簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)使得存儲(chǔ)容量、密度遠(yuǎn)超現(xiàn)有的閃存技術(shù)，輕松實(shí)現(xiàn)TB存儲(chǔ)顆粒。
另外由于其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它的主控開(kāi)發(fā)也變得異常簡(jiǎn)單，現(xiàn)有的Mobiveil's NVMe、PCIe、DDR3/4主控可以很好地適應(yīng)ReRAM架構(gòu)。
不過(guò)Mobiveil、Crossbar表示ReRAM SSD并不是要革現(xiàn)有SSD的名，因?yàn)樗辽俣唐趦?nèi)不是民用消費(fèi)級(jí)，而是面向商業(yè)應(yīng)用方案，因?yàn)槟壳皝?lái)看ReRAM SSD雖然性能指標(biāo)一流，但制作成本非常高，甚至比NV-DIMMM更為昂貴，就像是Intel的傲騰都是在虧本在賣。
所以Mobiveil與Crossbar將ReRAM的銷售方向、潛在客戶都與Intel 3D XPoint閃存硬盤(pán)Optane相同，并在積極開(kāi)發(fā)能夠平衡價(jià)格與性能的產(chǎn)品，帶動(dòng)公司的繼續(xù)發(fā)展。
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