三星在DRAM和閃存市場占有半壁江山，計(jì)劃明年將其在生產(chǎn)方面的資本支出預(yù)算增加1.5倍，提高至260億美元。相比之下，英特爾在2017年的資本支出預(yù)算120億美元就顯得有點(diǎn)少了，較2016年增長了25%。事實(shí)上，三星的預(yù)算是2017年三家大公司英特爾、臺積電和SK海力士的資本支出預(yù)算的總和。

　　
三星的主要競爭對手現(xiàn)在面臨著一個艱難的選擇。它們要么提高資本支出預(yù)算，保障足夠的供應(yīng)量，從而保障一定的市場份額，要么干脆放棄競爭，因?yàn)槿歉叩漠a(chǎn)能將會產(chǎn)生別人難以企及的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效應(yīng)。

　　
任何想要追趕三星的公司都面臨著整個行業(yè)供給過剩、價(jià)格下滑以及虧損擴(kuò)大的問題。半導(dǎo)體工廠必須全負(fù)荷運(yùn)行，才能維持最低的成本，只要價(jià)格能夠支付各種可變開支和固定成本，那就值得繼續(xù)維持工廠運(yùn)轉(zhuǎn)。

　　
但是，如果它們不增加預(yù)算，提高產(chǎn)能，那么它們就可能面臨市場份額萎縮、成本增加并最終被淘汰出局的結(jié)果。不要指望英特爾和鎂光的合資企業(yè)能夠?qū)谷?。英特爾幾十年前就退出了DRAM市場。

　　
英特爾和鎂光依靠其3D XPoint NVRAM(非易失性閃存)可能能夠在DRAM和閃存市場上占有一席之地。但是，這一希望注定落空，因?yàn)樗鼈儧Q定將3D XPoint捆綁到英特爾CPU上。此外，三星可以從Crossbar或Nantero公司那里購買或獲得授權(quán)使用與NVRAM競爭的技術(shù)。

　　
對于消費(fèi)者來說，一個利好的消息是：在未來12-18個月內(nèi)，我們應(yīng)該會看到更便宜的DRAM和NAND閃存出現(xiàn)。但是，從長遠(yuǎn)來看，我們可能會看到三星壟斷DRAM和NAND閃存生產(chǎn)，減緩價(jià)格下降速度以及遏制競爭。


本文關(guān)鍵詞：DRAM   NAND閃存

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